2025-01-18 智能 0
10月25日，我从知名半导体行业观察机构TechInsights那里得知，最近他们在一款消费电子产品中发现了全球首款3D NAND存储芯片，这款芯片是由中国的长江存储制造的。据了解，TechInsights在2023年7月推出的致态SSD中发现了长江存储制造的232层QLC 3D NAND芯片，这种新的QLC芯片拥有19.8 Gb/mm2的商用NAND产品中最高的比特密度。
这次发现超过了同样在开发232层QLC 3D NAND芯片的美光和英特尔（Solidigm）。TechInsights表示，尽管受到制裁后困难重重——包括受限于向苹果供应基于中国生产的iPhone零部件，以及被列入美国实体名单，但长江存储仍然在静静地发展它们 的技术。
近期存储市场低迷，以及许多内存制造商专注于节省成本的情况，也许为长江存储提供了机遇，使其具有领先更高比特密度的3D Xtacking NAND。值得注意的是，三星目前战略上专注于V9 3D NAND的TLC和QLC，因此没有在236层（V8） 3D NAND上开发QLC。但是，在最近举行的一场“内存技术日”上，三星首次公开了一款面向移动市场512GB UFS 3.1产品，它采用176层（V7）技术。这表明SK海力士主要业务是TLC，而不是QLC产品。
越来越多证据表明，中国正在努力克服贸易限制、建立本土半导体供应链，比预期要成功。此前，我还从TechInsights那边了解到，他们是拆解华为Mate 60 Pro第一家机构，并且Dan Hutcheson给出了如下评价：“这确实是一个令人惊叹质量水平，是我们始料未及，它肯定世界一流。因此，我们要祝贺中国能够制造出这样的产品。这意味着中国有非常强大的能力，而且还在继续发展技术。”
总之，这个消息显示，无论是在创新还是在克服外界挑战方面，都有可能证明中国已经走上了正确道路。我期待看到未来更多关于这个领域 的进展。
