2024-10-24 0
“第三代波束成形器IC实现高效率且低成本的相控阵列无线电，并扩展信号范围，为5G无线与固定无线接入释放更强大性能
”全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团（TSE：6723）今日宣布，推出两款全新双极化毫米波器件——F5288和F5268 IC，以拓展其5G波束成形器IC产品家族。新产品面向5G和宽带无线应用2x2天线架构进行优化，在n257、n258和n261频段打造卓越性能。高度集成的F5288和F5268发射器/接收器（8T8R）芯片组采用5.1mmx5.1mm BGA小尺寸封装，具备业界超高的硅基Tx输出功率——每通道提供超过15.5dBm的线性输出功率（注1）。通过这一组合，瑞萨方案实现极具成本效益的无线电设计，为广域网、小型基站和宏基站，以及CPE、固定无线接入（FWA）节点，和各类应用的无线基础设施扩展了信号覆盖范围。
全新F5288和F5268 IC采用独特的动态阵列功率（DAP）技术，可在10至16dBm的可编程线性输出功率范围内高效运行，使得第三代IC更容易满足移动和固定无线应用场景中对多种输出功率等级的要求。这种灵活性让通信领域的客户能够在不同应用中只需微调其天线阵列设计即可使用，从而节省设计时间。
瑞萨电子射频通信、工业与通信事业部副总裁Naveen Yanduru表示：“无论在城市还是乡村，移动与固定无线网络正在向5G毫米波技术转变。因此，获得足够的信号覆盖范围，或者说解决当下信号覆盖不足仍然是最大的挑战。瑞萨全新波束成形器IC改变了这一不断发展的市场游戏规则，可提供具备高输出功率的小型集成波束成形解决方案，使得通信领域的客户能够为广域无线应用实现经济高效的基站和FWA设计。”
关于F5288和F5268 5G毫米波波束成形IC
瑞萨第三代毫米波波束成形器IC满足5G系统所需的所有波束成形功能，同时达成基于硅基技术的高效超高线性的射频输出功率性能。
全新产品双极化8通道架构提供高度对称和超低损耗的天线路由网络，可提升整体天线效率并节省电路板成本。裸片封装工艺允许在电路板上做更为有效的热管理，可以从IC背面改善散热。此外，瑞萨设计的封装引脚简化了电路板设计，降低了设计难度和风险。较低复杂度的PCB设计会采用尽可能少的板层数，这不但可以节省电路板成本，也可加快产品上市速度。
F5288和F5268 IC还采用瑞萨多项前沿技术以增强阵列性能。动态阵列功率技术可从容高效地呈现不同级别的输出功率。ArraySense技术具有全面的片上传感器网络，能够让用户在阵列工作时监测IC性能，并能实时做出关键修正。RapidBeam先进的数字控制技术可以同时针对多个波束成形器IC进行同步和异步控制，实现超快速波束控制操作。
产品特性包括
Ÿ 支持26.5-29.5GHz（F5288）和24.25-27.5GHz（F5268）频段
Ÿ 先进的温度补偿技术，大幅降低因温度变化而导致的RF性能恶化影响
Ÿ 前沿相位与增益控制技术，包括具有真正6位分辨率的360°相位控制范围和最大31.5dB,步进0.5dB精度的增益控制
Ÿ 优化的Rx线性度模式，为接收机链路带来额外灵活性
Ÿ 室温下的Rx噪声系数低至4.5dB，在高达95ºC的温度下低于5.5dB
为进一步简化系统设计，客户可充分利用瑞萨新型基站天线前端成功产品组合，其采用新型F5288和F5268波束形成器IC，以及瑞萨F5728上/下变频器、8V97003宽带毫米波合成器，和各种PMIC器件。瑞萨现已推出超过250款基于互补的模拟、电源、时钟和嵌入式处理产品的组合方案，适用于各种应用和终端产品，旨在帮助客户面向不同应用构建易于使用的架构，简化设计过程，并显著降低设计风险。更多有关该产品和瑞萨解决方案的信息，请访问：renesas.com/win。
供货信息
F5288和F5268波束成形器IC现已上市。
