2025-01-20 数码 0
在科技界的竞争中，三星电子近期宣布开始量产采用全环绕栅极(Gate-All-Around，简称GAA)的3纳米制程工艺芯片，这一技术似乎超过了台积电当前使用的4纳米工艺(鳍式场效应管，FinFET)，但这种说法是否准确呢？首先，我们需要了解天玑9200手机有哪些独特之处，它们是如何通过这项新技术而实现卓越性能的。
在传统观念中，一般认为半导体工艺数字越小，就代表制造工艺越先进。然而，在进入14nm节点后，这种命名方式变得不再那么直观。为了解决这一问题，英特尔提出了新的标准，但实际上不同晶圆厂之间仍然存在差异，比如台积电和三星各自推出的10nm工艺，其晶体管密度虽然相近，但依然存在差距。
由于没有统一的行业标准，使得普通消费者难以直接比较不同晶圆厂之间的产品。在三星宣布量产3nm工艺时，他们声称其可以降低45%功耗、性能提升23%、芯片面积减少16%，与5nm相比。这让人很好奇的是，每次从5nm到3nm并未实现翻倍目标，而是按照摩尔定律每18～24个月晶体管数量翻倍来看。
根据提供数据显示，三星5nm工艺(5LPE)与台积电5nm(N5)相比，其晶体管密度较低。而且，由于第二代3纳米工艺将使芯片功耗降低50%、性能提升30%、芯片面积减少35%，计算出其晶体管密度大约为194.6MTr/mm2。而台积电则宣称N3制程技术逻辑密度增加70%，频率提升10-15%或者同频下功耗降低25-30%，因此其N3制程可能会超越三星第二代3NM 工作原理（GAP）。
对于编辑点评来说，不仅要考虑到晶体管密度，还需关注其他方面，如漏电率和处理器运行频率。此外，全新的GAA架构带来的优势也值得注意。但是，由于新结构可能影响部分参数，因此对此持谨慎态度。此外，当台积電转向GAA结构時，也或許會面臨與三星類似的問題。
