MGF095XP无线应用功率GaAs FET

“ ” 1月16日讯，Mitsubishi电子公司推出两种功率GaAs FET系列MGF0951/2P，从手机频段到U-NII(5.725-5.825GHz)频段有优异的线性性能。微细晶体管占位尺寸为4.5mmx3.4mm。也可提供低成本的塑料模块引线框封装，改善热特性，增强RF性能和可靠性。MGF0951P在2.15GHz的输出功率为31dBm，增益为13dB，热阻为20度C/瓦。而MGF0952P在2.15GHz的输出功率为36.5dBm，增益为13.5dB,热阻为5度C/瓦。MGF0951P的IP3性能为42dBm，MGF0952P则为47.5dBm。此外，新型MGF095XP系列的两种GaAs FET的IM3性能为-45dBc，功率附加效率(PAE)为50%。10K量的MGF0951P的单价为$5.5，MGF0952P的单价为$6.50。详情请上网：http:///common/cfm/eContentDriver.cfm2003.01.23