2025-02-28 科技 0
中国首台3纳米光刻机的研发与制造标志着中国半导体产业技术的重大突破，也是全球科技竞争力的重要转折点。
该光刻机采用了先进的极紫外（EUV）技术，能够在芯片上精确地定制微小特征，这对于提高集成电路的性能和密度至关重要。
光刻过程是现代芯片制造中的关键步骤，它决定了最终产品的性能、功耗和成本。传统13.5纳米或更大尺寸的光刻技术已经接近其物理极限，而3纳米则为未来高端芯片提供了可能。
中国首台3纳米光刻机不仅代表了国内科学家和工程师在这一领域取得的研究成果，更是对国际领先水平的一次挑战，显示出中国在高端装备制造业上的强大实力。
这项成就预示着国产半导体设计软件、晶圆切割设备等关键设备将会更加完善，从而促进国内自主可控核心零部件供应链建设，为国家经济发展带来新的增长点。
